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Plasma-assisted molecular-beam epitaxy of GaN on transition-metal carbide (111) surfaces

Journal of Crystal Growth 310 [1] 22-25. 2008.

NIMS著者


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    作成時刻: 2016-05-24 15:21:00 +0900更新時刻: 2024-12-10 04:13:07 +0900

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