Persistent excited conductivity and the threshold fluence in a-Si:H under 17 MeV proton irradiation | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Persistent excited conductivity and the threshold fluence in a-Si:H under 17 MeV proton irradiation
(17MeV陽子線照射したa-Si:Hにおける永続的伝導とその閾値線量)

AMEKURA, Hiroshi, 岸本直樹, KONO, Kenichiro, 近藤明弘.

Journal of Non-crystalline Solids(J.Non-Cryst.Solids) 444-449. 2000.

NIMS著者

Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット

作成時刻: 2022-11-15 00:39:27 +0900 更新時刻: 2022-11-15 00:39:27 +0900

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