Formation Mechanism of Conducting Path in Resistive Random Access Memory by First Principles Calculation Using Practical Model Based on Experimental Results
(実験結果に基づいた実際的モデルを使った第一原理計算による抵抗変化メモリの導電経路形成機構)
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-19 23:20:54 +0900更新時刻: 2024-04-01 21:28:08 +0900