Crystallinity of In2O3(ZnO)5 films by epitaxial growth with a self-buffer-layer | 研究者総覧SAMURAI - 物質・材料研究機構 (NIMS)

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Crystallinity of In2O3(ZnO)5 films by epitaxial growth with a self-buffer-layer
(自己バッファー層を用いた In2O3(ZnO)5 薄膜のエピタキシャル成長)

Naoki Ohashi, Isao Sakaguchi, Shunichi Hishita, Yutaka Adachi, Hajme Hareda, Tsuyoshi Ogino.

Journal of Applied Physics 92 [5] 2378-2384. 2002.

https://doi.org/10.1063/1.1495530

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作成時刻: 2016-05-24 11:48:50 +0900 更新時刻: 2026-09-28 04:34:15 +0900

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