融液法による酸化ガリウム半導体基板の作製とその特性
(β-Ga2O3 Semiconductor Substrate : Crystal Growth from Melt and Properties)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 16:54:09 +0900更新時刻: 2018-12-15 00:13:48 +0900