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著者名Kouichi Murakami, Naoki Fukata, Kunie Ishioka, Masahiro Kitajima, Noriyuki Uchida, Kunitomo Morisawa, Haruhito Morihiro, Ryota Shirakawa, Masatoshi Tsujimura.
タイトルIsotope Effect of Penetration of Hydrogen and Deuterium into Silicon through Si/SiO2Interface
掲載誌名Japanese Journal of Applied Physics 48 [9] 091204
ISSN: 13474065 00214922
発表年2009
言語English
ESIでのカテゴリPHYSICS
DOIhttps://doi.org/10.1143/jjap.48.091204
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