HOME > 論文 > 書誌詳細Electronic transport properties of GeS single crystals grown by vapor transport from molten GeS sourceMasaru Nakamura, Encarnación G. Víllora, Takeo Ohsawa, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi. Journal of Crystal Growth 609 127153. 2023.https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127153 NIMS著者中村 優大澤 健男島村 清史大橋 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2023-03-05 03:37:13 +0900更新時刻: 2024-04-02 05:33:40 +0900
