Electronic transport properties of GeS single crystals grown by vapor transport from molten GeS source

著者	Masaru Nakamura, Encarnación G. Víllora, Takeo Ohsawa, Kiyoshi Shimamura, Naoki Ohashi.
掲載誌名	Journal of Crystal Growth 609 127153 ISSN: 00220248 ESIでのカテゴリ: CHEMISTRY
出版社	Elsevier BV
発表年	2023
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2023.127153
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