Evidence for Defect-Mediated Tunneling in Hexagonal Boron Nitride-Based Junctions

著者	U. Chandni, K. Watanabe, T. Taniguchi, J. P. Eisenstein.
掲載誌名	Nano Letters 15 [11] 7329-7333 ISSN: 15306984 ESIでのカテゴリ: PHYSICS
出版社	American Chemical Society (ACS)
発表年	2015
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5b02625
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