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著者名Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Liwen Sang.
タイトルP-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas
掲載誌名Scientific Reports 6 1
ISSN: 20452322
発表年2016
言語English
DOI10.1038/srep23683
ESIでのカテゴリMultidisciplinary
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