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| 著者名 | Kexiong Zhang, Masatomo Sumiya, Meiyong Liao, Yasuo Koide, Liwen Sang. |
|---|---|
| タイトル | P-Channel InGaN/GaN heterostructure metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on polarization-induced two-dimensional hole gas |
| 掲載誌名 | Scientific Reports 6 1 ISSN: 20452322 |
| 発表年 | 2016 |
| 言語 | English |
| DOI | 10.1038/srep23683 |
| ESIでのカテゴリ | Multidisciplinary |
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