High-performance ambipolar MoS2 transistor enabled by indium edge contacts

著者	Hai Yen Le Thi, Muhammad Atif Khan, A Venkatesan, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Gil-Ho Kim.
掲載誌名	Nanotechnology 32 [21] 215701 ISSN: 13616528, 09574484 ESIでのカテゴリ: MATERIALS SCIENCE
出版社	IOP Publishing
発表年	2021
言語	English
DOI	https://doi.org/10.1088/1361-6528/abe438
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