酸化ガリウム半導体の分子線エピタキシー（MBE）成長とショットキーダイオード
(Molecular Beam Epitaxy of Semiconducting Gallium Oxide and its Application to Schottky Barrier Diodes)
NIMS著者
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作成時刻: 2016-05-24 16:54:10 +0900更新時刻: 2018-12-15 01:10:50 +0900