ホイスラー合金やトポロジカル材料を用いて、高度な成膜技術と界面制御により、スピントロニクスヘテロ構造を開発する。大きな垂直磁気異方性と高いトンネル磁気抵抗を持つ磁気接合デバイスを実現し、スピントロニクデバイスの読み出しプロセスに貢献する。また、電圧制御磁気異方性、スピン流発生、スピン軌道トルクによる磁化反転の高効率化を実現し、デバイスの書き込みプロセスにおける低消費電力化に寄与する。これにより、スピントロニクスデバイスをより効率的に、より高性能に動作させることが期待される。