上図は、本研究で構築したフェーズフィールドモデルによるFePt-Cナノ薄膜のミクロ組織形成シミュレーションの概要を示す。左上は実験で作製したFePt-C膜のTEM像であり、これを参考にシミュレーションで用いるパラメータを決定した。右上は3次元シミュレーション結果（赤：L10-FePt、青：C、緑：MgO）であり、実験と同等の孤立した島状組織が再現されている。下段は膜断面（(010)面）における応力場分布（σ11、青：圧縮、赤：引張）を示す。
　
　
FePtとMgOの格子ミスフィットにより、FePt粒内には10 GPaを超える大きな引張応力が生じる。FePt粒はこの歪みエネルギーの解放を優先するため縦方向へ成長しやすくなる。一方、FePt粒から離れたMgO表面にも引張応力が発生するため、新たなFePt/MgO界面の形成は弾性的に不利となり、隣接粒同士の合体が抑制される。この二つの効果が相まって、均一で孤立した島状組織が形成されることが明らかになった。さらに、C粒界材を添加すると、スパッタにより供給されたFe・Pt原子がC表面上で捕捉され、FePt粒上部までの拡散距離が短縮されるため、縦方向成長が一層促進され、FePt粒の微細化が促進される。これらの知見から、高記録密度HDD向けFePt-C膜の実用的な設計指針として、（1）十分な格子ミスフィットを保ちつつエピタキシャル成長が可能な基板の選択、（2）FePtおよび基板と界面整合性を示さない粒界材の選定、（3）粒の合体を招かない最大のスパッタ速度での成膜、が導出された。