高温高圧法によるhBNは高純度単結晶の室温における最大発光強度は、波長215 nm（内部量子効率約5%以上）が得られている。励起源として加速電子線を使った試作デバイスでは最大放射光強度約8µW/cm2/nmを得ている（図2）。発光波長領域はFar UV-C領域と呼ばれ、細菌やウィルスへの殺菌効果がありながら人体の皮膚角質層を透過することができないので紫外光源でも安全な波長領域として知られている。また、一方でhBN単結晶をグラフェンなどの2次元原子層材料の基板に用いることにより、表面ポテンシャルのゆらぎを最低限に抑えることができる。図3の模式図は下段がhBNを基板に用いた時の表面ポテンシャルの揺らぎおよび表面荒さである。グラフェン研究初期に用いられていたSiO2基板上のグラフェン（上段）にくらべ、表面の均一性は非常に高いことがわかる。この特性から2次元原子層材料におけるデバイスには不可欠な材料として知られるようになった。
本研究ではこれらの六方晶窒化ホウ素の特性をより応用範囲の広い気相成長法によって実現するための基礎技術開発に取り組んでいる。図4に示すようにジボランとアンモニアガスをそれぞれIII族およびV族の原子ソースとして用い、レーザ加熱した基板上で結晶成長を行う。使用する基板や温度、成長雰囲気制御などの最適化を行うことにより、より高純度低欠陥の薄膜hBN成長を目指している。