Atomic switch: Development of resistive switching memories based on nanoscale migration of cations in oxide thin films
(抵抗変化メモリ（ReRAM）の現状と展望：絶縁性ナノ薄膜型原子スイッチを中心として)
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-27 02:08:35 +0900更新時刻: 2017-03-17 04:16:32 +0900