HOME > 口頭発表 > 書誌詳細スカベンジング効果を用いたHfO2/Si界面のSiO2の薄膜化(Shrinkage of SiO2 thickness at the HfO2/Si interface by Scavenging Effect)小橋 和義, 長田 貴弘, 岩下 祐太, 池野 成裕, 足立 哲也, 小椋厚志, 知京 豊裕. 日本電子材料技術協会第48回秋期講演大会. 2011.NIMS著者長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-14 11:21:05 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:12:51 +0900