HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Point Defect Characterization in InGaN by Using Monoenergetic Positron Beams上殿明良, T. Watanabe, S. Kimura, Y. Zhang, ロザック ミカエル, サン リウエン, S. Ishibashi, N. Oshima, R. Suzuki, 角谷 正友. 12th Inter. Conf. on Atomically Contr. Surface, Interfaces & Nan. 2013年11月04日-2013年11月08日.NIMS著者サン リウエン角谷 正友Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:08:47 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:49:11 +0900