17MeV陽子線によるn-Si中の照射欠陥の光DLTS測定
(DLTS measurement under CW lighh,of 17 MeV Proton irradiation-induced defects in n-Si)
1999（平成１１）年秋季第60回応用物理学会学術講演会参加. 1999年09月01日-1999年09月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:29:59 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:57:57 +0900