Persistent Excited Conductivity Induced by Proton Irradiation in a-Si:H
(陽子線照射により誘起されるa-Si:Hの永続的励起伝導)
International Conference of Defects in Semiconductor-19. 1997年07月21日-1997年07月25日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 01:16:06 +0900 更新時刻: 2023-04-09 15:06:09 +0900