HOME > 口頭発表 > 書誌詳細陽子線照射によるn-si中の深い準位のDLTSその場測定法(In-situ DLTS measurement of proton-induced deep levels in n-si)河野 健一郎, 岸本直樹, 雨倉 宏, 岸本直樹. 応用物理学会学術講演会. 1997年10月02日-1997年10月05日.NIMS著者河野 健一郎雨倉 宏Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-18 01:20:39 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:44:42 +0900