HOME > Presentation > Detail電子線照射によるSiO2薄膜損傷の入射角依存性試験佐藤 秀勝, 岩井 秀夫, 福島 整, 木村 隆, 荻原 俊弥, 田沼 繁夫. 第31回表面分析研究会. 2008.NIMS author(s)IWAI, HideoKIMURA, TakashiOGIWARA, ToshiyaFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:16:52 +0900Updated at: 2018-06-05 12:13:54 +0900