水素終端Si(100)表面におけるGe元素吸着-Ge-S2ダイマーの形成
(Adsorption of Ge atoms on the H-terminated Si(100) surface-formation of a Ge-Si mixed diner )
日本物理学会１９９９年秋の分科会. 1999年09月24日-1999年09月27日.
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作成時刻: 2017-02-18 01:49:14 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:59:43 +0900