(Effective surface reconstruction of beta-Ga2O3 substrates above 103 Pa NH3 for GaN epitaxy)
International Conference on High Pressure Semiconductor Physics. 2006年07月31日-2006年08月03日.
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作成時刻: 2017-02-25 01:14:32 +0900 更新時刻: 2017-07-10 19:39:45 +0900