HOME > 口頭発表 > 書誌詳細(Effective surface reconstruction of beta-Ga2O3 substrates above 103 Pa NH3 for GaN epitaxy)ビジョラ ガルシア, 島村 清史, 青木和夫, 北村 健二. International Conference on High Pressure Semiconductor Physics. 2006.NIMS著者ビジョラ ガルシア島村 清史Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-02-25 01:14:32 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:39:45 +0900