GaAs micro crystal growth on a As-terminated Si Surface by low energy focused lon beam.
(低エネルギー集束イオンビームによるひ素終端Si(001)表面上でのGaAs微結晶の成長)
Maferial Research Soceity Fall Meeting 98. 1998年11月30日-1998年12月04日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 01:36:03 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:52:37 +0900