水素終端Si(001)表面上へのGe吸着に関する第一原理研究
(Ab initio study of Ge adsorption on H-terminated Si(001) surfaces)
MRS 2000 Fall Meeting. 2000年11月27日-2000年12月01日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-18 02:09:42 +0900 更新時刻: 2017-07-10 18:11:12 +0900