Growth of GaAs Epitaxial Microcrystals on an S-Terminated GaAs Suhstrate in MBE.
(MBE中でS終端処理を施したGaAs表面上での液滴エピタキシィ法によるGaAsエピタキシャル微結晶の成長.)
第12回混晶韓個枡玄杓累灼角. 1993年07月14日-1993年07月16日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 00:42:54 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:24:33 +0900