HOME > 口頭発表 > 書誌詳細VLS法によるSiナノワイヤの成長方向のシランガス分圧依存性評価(SiH4 Partial Pressure Dependence of Si Nanowire Orientation by VLS Method)北澤 佑記, 堀口 竜麻, 小平 竜太郎, JEVASUWAN Wipakorn, FUKATA Naoki, 原 真二郎. The 80th Autumn Meeting 2019. 2019.NIMS著者ジェバスワン ウイパコーン深田 直樹Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2020-01-07 03:00:30 +0900更新時刻: 2020-01-07 03:00:30 +0900