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アルミ陽極酸化膜を用いた次世代不揮発性メモリの開発
(Development of a next-generation-nonvolatile-memory using aluminum anodic oxide film )

著者北澤 英明, 児子 精祐, 加藤 誠一, 木戸 義勇.
会議名第45回茅コンファレンス
発表年2007
言語Japanese

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