HOME > Presentation > Detailアルミ陽極酸化膜を用いた次世代不揮発性メモリの開発(Development of a next-generation-nonvolatile-memory using aluminum anodic oxide film )北澤 英明, 児子 精祐, 加藤 誠一, 木戸 義勇. 第45回茅コンファレンス. 2007.NIMS author(s)KITAZAWA, HideakiKATO, SeiichiFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-02-14 11:17:16 +0900Updated at: 2017-07-10 19:59:34 +0900