GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討
(Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for GaN template substrate)
電子材料協会第54回秋季講演大会. 2017-11-02.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-11-15 22:42:05 +0900 更新時刻: 2018-06-05 14:14:46 +0900