HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討(Growth condition optimization of AlN buffer layer deposited by reactive sputtering for GaN template substrate)長田 貴弘, 石橋 啓次, 高橋 健一郎, 鈴木 摂, 小椋 厚志, 知京 豊裕. 電子材料協会第54回秋季講演大会. 2017.NIMS著者長田 貴弘知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻 :2017-11-15 22:42:05 +0900 更新時刻 :2018-06-05 14:14:46 +0900