(High ultraviolet photocurrent in metal-semiconductor-metal structures fabricated on as-grown boron-doped homoepitaxial diamond.)
The 10th International Conference on New Diamond Science and Tec. 2005年05月11日-2005年05月14日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:38:53 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:17:36 +0900