(111)，(001)，(110)高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜の超伝導絶縁体転移の臨界濃度
(Critical concentration of superconductor-insulator transition in (111),(001),(110)heavily boron-doped diamond)
日本物理学会2008年秋季大会. 2008年09月20日-2008年09月23日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:21:54 +0900 更新時刻: 2017-07-10 20:19:16 +0900