デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作
(Electrostatically-Reversible Polarity of Dual-Gated Graphene Transistors with He Ion Irradiated Channel)
応用物理学会春季学術講演会. 2013年03月27日-2013年03月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 03:16:57 +0900 更新時刻: 2017-07-10 21:43:09 +0900