HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Carrier doping in Hexagonal Boron Nitride via Intercalation: A First-Principles Study大場史康, 東後 篤, 田中 功, 谷口 尚, 渡邊 賢司. 日本金属学会 2009年春期(第144回)大会. 2009.NIMS著者谷口 尚渡邊 賢司Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:53:56 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:28:30 +0900