陽子線照射によるSi中の深い準位の評価（２）
(Evaluation of Proton-induced Deep Levels in n-si)
応用物理学関係連合講演会 第44回. 1997年03月28日-1997年03月31日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 01:14:32 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:41:25 +0900