HOME > 口頭発表 > 書誌詳細GaN-HEMTデバイスの表面状態ダイナミクスの顕微分光分析(Spatio-temporal Dynamics of surface states of GaN-based Transistors)大美賀圭一, 舘野泰範, 河内剛志, 駒谷務, 八重樫誠司, 由井恵一, 中田健, 永村 直佳, 堀場弘司, 尾嶋正治, 末光眞希, 吹留博一. ACSIN14 and ICSPM26. 2018年10月21日-2018年10月25日.NIMS著者永村 直佳Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2018-09-02 16:19:49 +0900更新時刻: 2018-09-02 16:19:49 +0900