MeV プロトン照射したSiにおける欠陥生成率の照射温度依存性
(Irradiation Temperature Dependence of Defect Generation Rate in Mev-Proton Bombared Silicon)
第４２回応用物理学会. 1995年03月28日-1995年03月31日.
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作成時刻: 2017-02-18 00:56:40 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:32:14 +0900