Flux dependent generation rates fo irradiation-induced defects in n-Si under 17 MeV proton irradiation.
(17MeV 陽子線照射によるN-Si中の照射欠陥生成率の線量率依存性)
MRS 1998 Fall Meeting 米国材料学会 1998年秋期大会. 1998年11月30日-1998年12月04日.
NIMS著者
Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット
作成時刻: 2017-02-18 01:35:44 +0900 更新時刻: 2017-07-10 17:52:28 +0900