On the fluence dependence of radiation-induced carrier removal in moderately doped Si
(中程度にドープしたSiにおける照射誘起キャリヤ枯渇の照射線量依存性について)
第20回半導体欠陥国際会議20th International Conference on Defects. 1999年07月26日-1999年07月30日.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-01-08 04:34:23 +0900 更新時刻: 2023-04-09 15:11:39 +0900