HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Low contact resistance on buried interfaces in oxide thin-film transistors by selective-area reduction using hydrogenation catalyst electrodeM. Tsuji, Y. Shi, H. Cho, UEDA, Shigenori, J. Kim, HOSONO, Hideo. PRiME 2024. 2024年10月06日-2024年10月11日. 招待講演NIMS著者上田 茂典細野 秀雄Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2024-11-13 03:15:55 +0900更新時刻: 2024-11-13 03:15:55 +0900