HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Cu-Ta2O5ベース不揮発性抵抗変化メモリーのスイッチング機構(Switching mechanism of Cu-Ta2O5-baed nonvolatile resistive memory)鶴岡 徹, 寺部 一弥, 長谷川 剛, 青野 正和. 2010 MRS Spring Meeting. 2010年04月05日-2010年04月09日.NIMS著者鶴岡 徹寺部 一弥青野 正和Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:16:48 +0900更新時刻: 2017-07-10 20:43:37 +0900