HOME > Presentation > DetailCu-Ta2O5ベース不揮発性抵抗変化メモリーのスイッチング機構(Switching mechanism of Cu-Ta2O5-baed nonvolatile resistive memory)鶴岡 徹, 寺部 一弥, 長谷川 剛, 青野 正和. 2010 MRS Spring Meeting. April 05, 2010-April 09, 2010.NIMS author(s)TSURUOKA, TohruTERABE, KazuyaAONO, MasakazuFulltext and dataset(s) on Materials Data Repository (MDR)Created at: 2017-01-08 04:16:48 +0900Updated at: 2017-07-10 20:43:37 +0900