HOME > 口頭発表 > 書誌詳細グラフェンにおける欠陥起因の電荷局在とそのエレクトロニクス応用(Defect-Induced Localization of Carriers in Graphene and its Applications to Electronics)中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 黎 松林, 塚越 一仁, 佐藤信太郎, 横山直樹. The 5th International Conference on Recent Progress in Graphene . 2013.NIMS著者塚越 一仁Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 05:19:40 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:43:05 +0900