HOME > 口頭発表 > 書誌詳細High-k/p+polySiゲートのフェルミレベルピニングの物理的起源(Physcal meaning of the Fermi level pinning at High-k/p+poly-Si gate interafce)白石賢二, 山田啓作, 鳥居和功, 赤坂泰志, 中島 清美, 今野充, 知京 豊裕, 北島洋, 有門径敏. 応用物理学会シリコンテクノロジー分科会研究集会. 2004.NIMS著者知京 豊裕Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 04:37:36 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:03:54 +0900