HOME > 口頭発表 > 書誌詳細n型ダイヤモンド/窒化物半導体へテロ接合における電子濃度分布の解析(Analysis of electron distribution at heterojunction between n-diamond and nitride semiconductors)小出 康夫. 2004年秋季第65回応用物理学会学術講演会. 2004年09月01日-2004年09月04日.NIMS著者小出 康夫Materials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2017-01-08 03:49:10 +0900更新時刻: 2017-07-10 19:01:43 +0900