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ヘリウムイオン照射されたグラフェンにおける結晶欠陥に誘起された電荷の局在現象
(Defect-Induced Carrier Localization in Helium Ion Irradiated Graphene)

中払 周, 飯島智彦, 小川真一, 黎 松林, 塚越 一仁, 佐藤信太郎, 横山直樹.
IWEPNM 2014. 2014年03月08日-2014年03月14日.

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    作成時刻: 2017-02-14 10:50:52 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:52:34 +0900

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