ヘリウムイオン照射されたグラフェンにおける結晶欠陥に誘起された電荷の局在現象
(Defect-Induced Carrier Localization in Helium Ion Irradiated Graphene)
IWEPNM 2014. 2014.
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 10:50:52 +0900更新時刻: 2017-07-10 21:52:34 +0900