高速CWレーザーアニール法を用いたGeおよびGeSn材料の結晶成⻑
(Growth of Ge and GeSn by high speed CW laser annealing)
電子デバイス界面テクノロジー研究会 ―材料・プロセス・デバイス特性の物理― (第26回研究会). 2021.
NIMS著者
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作成時刻: 2021-02-11 03:00:18 +0900更新時刻: 2021-02-11 03:00:18 +0900