Si Surface Passivation by using Triode-Type Plasma-Enhanced CVD with Thermally-Energized Film-Precursors
(ガス加熱トライオードプラズマCVD法によるSi表面パシベーション)
28th Inter. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors. 2019.
NIMS著者
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作成時刻: 2019-09-11 03:00:21 +0900更新時刻: 2019-09-11 03:00:21 +0900