HOME > 口頭発表 > 書誌詳細Si Surface Passivation by using Triode-Type Plasma-Enhanced CVD with Thermally-Energized Film-Precursors(ガス加熱トライオードプラズマCVD法によるSi表面パシベーション)NIIKURA, Chisato, 白取優大, 宮島晋介. 28th Inter. Conf. on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors. 2019年08月04日-2019年08月09日.NIMS著者新倉 ちさとMaterials Data Repository (MDR)上の本文・データセット作成時刻: 2019-09-11 03:00:21 +0900更新時刻: 2019-09-11 03:00:21 +0900