プロトン欠陥によりホールドープされるTTF導体：可動ドーパントの効果
(Hole Doping by Protonic Defects in Tetrathiafulvalene (TTF) Conductors: Effect of Mobile Dopant)
ICEAN-2012. 2012年10月22日-2012年10月25日. 招待講演
NIMS著者
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作成時刻: 2017-02-14 11:14:11 +0900 更新時刻: 2024-03-05 11:44:04 +0900