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ガス加熱トライオードプラズマCVD法による低温成長a-Si:Hの高品質化
(High-quality a-Si:H deposited at low-temperature by thermally energized film-precursors)

新倉 ちさと, Porponth Sichanugrist, 宮島 晋介, 市川 幸美, 小長井 誠.
第63回応用物理学会春季学術講演会. 2016年03月19日-2016年03月22日.

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    作成時刻: 2017-02-14 10:53:32 +0900更新時刻: 2017-07-10 22:24:00 +0900

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